输入过压是由电网负载的巨动引起的。例如，在用电高峰期，电压通常较低，而在设备关闭时，电压则较高。

　　输入过压是由电网负载的巨动引起的。例如，在用电高峰期，电压通常较低，而在设备关闭时，电压则较高。

　　电网电压幅值的实际变化范围随着电网容量、输配电设备质量、用电量以及其他因素的变化而变化很大。在拥有完善电源系统的城市和工业区里，变化范围通常只有 ±15% 左右（最大值不超过 264 VAC）。如果确实超过 264 VAC，电源可能会损坏，甚至导致设备跳闸和/或引发火灾，对安全和财产造成威胁。

　　但是，在供电条件差的国家和地区，或者电网中存在负载变化大的设备的场合，如山区、高速公路隧道、充电站、发电机供电等，变化范围就大得多。有时变化范围能够达到 20%~30%（最大值能够达到 274~299 VAC）。

　　图 1：恶劣工作环境下的电压波形。（图片来自：Mornsun Power）

　　以图 2 中的反激式开关模式电源为例，分析当输入电压达到 305 VAC时，如何根据电压应力选择正真适合的元器件。

　　当然，这些木质试验板作为使用现代元器件的电路平台已经过时了。尽管如此，“试验板”和“试验板布局”已成为与粗略构建演示电路或子电路有关的标准术语。然而，从真空管到分立引线晶体管和无源元器件、DIPIC，到现在几乎看不见的表面贴装器件，电子技术的发展对试验板布局技术和平台产生了重大影响。

　　1.保险丝F1的标称电压选择保险丝的标称电压必须大于或等于关断电路的最大电压。由于保险丝的电阻非常低，只有在试图中断电流时，其标称电压才变得重要。当保险丝元件熔断时，保险丝一定要能迅速断开，熄灭电弧，并防止开路电压通过断开的保险丝元件再次引发电弧。保险丝的常用型号规格为 125 V、250 V、300 V 和 400 V。为了应对输入电压的大幅波动，应选择 300 V 的保险丝。2.压敏电阻RV1的标称电压选择在实际应用中，压敏电阻 RV1 在电路中一般是并联连接。当电路正常工作时，压敏电阻处于高阻状态，这不会影响电路的正常工作。当电路出现异常瞬时过压并达到其导通电压（压敏电阻电压）时，压敏电阻迅速从高阻状态变为低阻状态，将异常瞬时过压引起的瞬时过流排放掉，并将异常瞬时过压钳制在安全水平内，从而保护后续电路避免因异常瞬时过压而受损。压敏电阻的常见规格如下：

　　压敏电阻的电压值应大于实际电路中的电压峰值，即连续施加于压敏电阻两头的电源电压应小于压敏电阻规格中的“最大连续工作电压值（交流和直流）”。如表 1 所示，300 VAC(385 VDC) 显然不能够满足 305 VAC的长期运行。为避免压敏电阻损坏，在输入电压波动较大的情况下，就有必要选择10D561 压敏电阻。

　　3. X电容器CX1的标称电压选择X2 安规电容器的标称电压一般为 275 V、305 V 或 310 V，这些电压其实就是通用的。由于不同国家/地区的标称电压要求不同以及安全法规不同，X2 的标签并不一定准确。例如，中国 CQC 认证所要求的标称电压是 310 VAC，而其他几个国家/地区则是 275 V、305 VAC和 310 VAC。在输入电压波动较大的情况下，最好使用 310 V 的 X 电容器。4.桥式整流器BD1的标称电压选择当 VIN= 264 VAC时，桥式整流二极管的最大应力应该是：Vmax1 = 264 × √2 = 373 V。当 VIN= 305 VAC时，桥式整流二极管的最大应力应该是：Vmax2 = 305 × √2 = 431 V。由于开关电源需要做雷击电涌测试，因此一般会选择标称电压大于 600 V 的桥式整流器。为满足更恶劣的电涌环境，也可以再一次进行选择 1000 V 的桥式整流器。5.电解电容器C1的标称电压选择当 VIN= 264 VAC时，该电解电容器的最大应力应该是：Vcmax1 = 264 × √2 = 373 V。当 VIN= 305 VAC时，该电解电容器的最大应力应该是：Vcmax2 = 305 × √2 = 431 V。在输入电压波动较大的情况下，应选择 450 V 的电解电容器。6. MOS晶体管Q1的标称电压选择MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于：VIN指的是输入电压，最大输入电压为 431 V。VOR是反射电压，一般为 60-120 V，与初级和次级的匝数比呈正相关性。通过优化设计，这可以假设为 80 V 或更低。VPK是由电感产生的峰值电压，一般在 100 V 左右；通过优化漏电感和吸收率参数，可以取为 80 V 或更低。因此，MOS 晶体管 Q1 的工作电压压力应该是：431 + 120 + 100 = 651 V。经过优化后，Q1 的工作电压应力可以是：431 + 80 + 80 = 591 V。因此，考虑到 305 VAC输入的电涌，为了能够更好的保证 MOS 晶体管可靠工作，至少应选择 700 V 的 MOS 晶体管，但在优化变压器的匝数比和漏电感后，也可以再一次进行选择 650 V 的 MOS 晶体管。7.二极管D1的标称电压选择二极管电压应力的计算公式为：VD-PK指的是由次级漏电感产生的峰值电压。由于它受不同的输出电压和吸收率参数的影响很大，因此计算方式一般为：假设输出电压为 12 V (VO= 12 V)，二极管的漏感峰值为30 V (VD-PK= 30 V)，MOS 晶体管的漏电感峰值为 80 V (VPK= 80 V)，计算如下：、

　　表 2：匝数比、MOS 晶体管和二极管之间的电压应力关系。（图片来自：Mornsun Power）从表 2 能够准确的看出，传统的开关模式电源只考虑 373 V 的输入电压 (VIN = 373 V)，而 MOS 晶体管和二极管的数值会比较小，因而无法用于 431 V 的输入电压。一旦输入电压超过 373 V，就会有损坏的风险。

　　综上所述，以输出电压 12 V 为例，在电涌或输入 305 VAC的情况下，为了能够更好的保证二极管可靠工作，至少应选择 150 V 的二极管。然而，通过优化变压器的匝数比和漏电感，也可以再一次进行选择 100 V 的二极管。

　　根据上述计算，输入过压的最佳处理方法是优化元器件的电压应力，如元器件选择 Mornsun 的305RAC（所有条件下都可靠）电源。

　　表 3：Mornsun的 305RAC 和主流电源在若干不同标称电压下的比较。（图片来自：Mornsun Power）同时，能够最终靠增加内部电气间隙和爬电距离来保持高压线之间的安全距离，避免电弧对原型造成损失破坏或给人员带来危险。

　　图 3：反激式原理图显示为避免产生电弧的电路走线）。（图片来自：Mornsun Power）

　　表 4：针对图 3 中的电路对主流电源和 305RAC 电源的电气间隙/爬电距离之比较。（图片来自：Mornsun Power）

　　输入过压会损坏电源并对人员造成了严重的伤害。如何避免输入过压？通过对电源元器件进行电压应力分析，确定了开关模式电源的关键元器件选型指南。同时，增加电源的内部电气间隙和爬电距离，更有助于优化电压应力。

　　通过比较主流电源和 Mornsun 305 RAC 电源之间元器件的标称电压、电气间隙和爬电距离，305 RAC 交流/直流电源的功能能有效地防护输入过压。此外，该电源还适用于对温度、湿度、海拔、EMC 干扰等环境工作要求比较高的恶劣和特殊环境。